氮 硫摻雜改性 V2Cmxene
| 【編號(hào)】BK2020041004 | 【CAS號(hào)】CAS | ||
| 【貨號(hào)】BK2020041004-02 | 【規(guī)格】 | ||
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| 價(jià)格： 登錄查看 | |||
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產(chǎn)品信息：
名稱：氮 硫摻雜改性 V2CTx mxene
官能團(tuán)：-OH-F-O-Cl（可定制）
尺寸：1-5um
純度： 99%
儲(chǔ)存條件：低溫干燥密封務(wù)必惰性氣氛中保存
工藝：HF處理或HCl+LiF處理
通過(guò)簡(jiǎn)單一步水熱法制備出N-Ti3C2納米材料,并將其應(yīng)用到電化學(xué)電容器上。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明: N-Ti3C2具有手風(fēng)琴狀的層狀結(jié)構(gòu)，N成功進(jìn)入并均勻分布于Ti3C2基體上。電化學(xué)測(cè)試表明: N-TisCx電極容量為156F/g（5mV/s），并且具有良好的速率性能和循環(huán)穩(wěn)定性。N-Ti3C2納米電極優(yōu)異的電化學(xué)性能來(lái)源于: N-Ti3C2基體獨(dú)特的二維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)加速了電解液的侵入和電子轉(zhuǎn)移: N的引人擴(kuò)大了晶面間距，提高了K+的插層贗電容和提供了額外的贗電容； N-Ti3C2高的導(dǎo)電性和接觸性提高了電子的傳輸速率，并提供更多的表面活性位點(diǎn);以上因素的協(xié)同作用有效地促進(jìn)了電容性能的提高。
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官能團(tuán)：-OH-F-O-Cl（可定制）
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工藝：HF處理或HCl+LiF處理
通過(guò)簡(jiǎn)單一步水熱法制備出N-Ti3C2納米材料,并將其應(yīng)用到電化學(xué)電容器上。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明: N-Ti3C2具有手風(fēng)琴狀的層狀結(jié)構(gòu)，N成功進(jìn)入并均勻分布于Ti3C2基體上。電化學(xué)測(cè)試表明: N-TisCx電極容量為156F/g（5mV/s），并且具有良好的速率性能和循環(huán)穩(wěn)定性。N-Ti3C2納米電極優(yōu)異的電化學(xué)性能來(lái)源于: N-Ti3C2基體獨(dú)特的二維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)加速了電解液的侵入和電子轉(zhuǎn)移: N的引人擴(kuò)大了晶面間距，提高了K+的插層贗電容和提供了額外的贗電容； N-Ti3C2高的導(dǎo)電性和接觸性提高了電子的傳輸速率，并提供更多的表面活性位點(diǎn);以上因素的協(xié)同作用有效地促進(jìn)了電容性能的提高。
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